一批“内卷式”竞争严重违法失信名单被集中曝光
SK 海力士正式登岸纳斯达克在即，将 AI 内存领导职位的叙事直接带入全球资本市场。据报道，美东时间 7 月 10 日，SK 集团会长崔泰源将亲赴纽约，出席 SK 海力士美国存托凭证（ADR）在纳斯达克上市仪式，并与 SK 海力士总裁兼首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）等高管配合加入开市敲钟。此次 ADR 刊行规模最终确定为 1779 万股，约占公司已刊行股份的 2.5%，预计募资约 43 万亿韩元。SK 海力士体现，此次上市旨在提升公司在全球资本市场的知名度，争取更合理的市场估值。公司认为，尽管已在 AI 内存市场确立领先职位，但目今估值仍低于美光。募集资金将全部用于扩泰半导体产能及先进封装能力建设。 崔泰源赴纽约，强化 AI 内存战略叙事据报道援引行业消息人士，崔泰源此行的重要任务之一，是向全球投资者论述 SK 海力士在 AI 内存领域的恒久增长战略，并就深化与全球科技巨头相助展开交流。外界普遍认为，崔泰源亲自出席上市仪式，不但体现了集团对 ADR 上市的重视，也是在全球资本市场进一步强化 SK 海力士 AI 内存领导者形象、释放恒久增长信心的重要举措。在美期间，崔泰源预计还将寻求与英伟达及特斯拉高管碰面。今年 2 月，他曾赴硅谷与英伟达治理层讨论高带宽内存（HBM）、下一代效劳器内存模组 SOCAMM、NAND 闪存以及 AI 数据中心等相助议题。今年 6 月，英伟达首席执行官黄仁勋访韩期间，双方再次会晤，并重申恒久战略相助同伴关系。 募资聚焦产能扩张与先进封装凭据 SK 海力士向美国证券监管机构提交的注册声明，此次 ADR 最终刊行价格于美东时间 7 月 9 日确定，并于 7 月 10 日在纳斯达克正式开始交易。公司体现，募集资金将重点投向龙仁半导体集群首座晶圆厂建设、清州 P&T7 园区先进封装设施扩建，以及美国印第安纳州 AI 内存封装工厂建设。同时，公司还将采购极紫外（EUV）光刻设备，进一步提升先进制程制造能力。整体来看，此次募资投向高度聚焦于 HBM、先进封装及高端制造产能扩张，与 SK 海力士连续牢固 AI 芯片供应链竞争优势、满足快速增长的 AI 内存需求的恒久战略坚持一致。